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雪崩光電二極管(APD)芯片

雪崩光電二極管(APD)芯片

基于InP的雪崩光電二極管(APD)是高度敏感的長波長光電二極管。APD可被視為光電二極管,通過稱為雪崩倍增的內(nèi)部電流放大機(jī)制提供內(nèi)置的第—級(jí)低噪聲增益。由于低噪聲增益,與基于pin光電二極管的光接收器相比,APD提供了更高的接收器靈敏度。
主要特征 
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產(chǎn)品特點(diǎn)
﹒單通道/多通道APD二極管芯片可選
典型應(yīng)用
·到達(dá)28 Gbaud速率
產(chǎn)品特征
﹒高度定制化
標(biāo)準(zhǔn)模塊光學(xué)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) 速率 通道數(shù)量 背照方式
APD20D1 28 Gbaud 1 Lens
APD20E1 28 Gbaud 1 Top
APD20B1 25 Gb/s 1 Lens
APD20C1 25 Gb/s 1 Lens
APD10D1 10 Gb/s 1 Lens
APD10E1 10 Gb/s 1 Top
APD10X1 10 Gb/s 1 Lens
APD05C1 5 Gb/s 1 Lens
APDO5F1 2.5 Gb/s 1 Top
APD05Q1 2.5 Gb/s 1 Bottom
APD10Vx 10 Gb/s n x 4 Top